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电子元器件详细资料 » IC[20415] » IRLHS6376TR2PBF
型号:IRLHS6376TR2PBF类别:FET - 阵列制造商:International Rectifier
封装:6-VDFN 裸露焊盘描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.1V @ 10µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs2.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds270pF @ 25V
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-PQFN(2x2)
包装Digi-Reel®

供应商

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