型号:IRLHS6376TR2PBF | 类别:FET - 阵列 | 制造商:International Rectifier |
封装:6-VDFN 裸露焊盘 | 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.1V @ 10µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 270pF @ 25V |
功率_最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 6-PQFN(2x2) |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
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